MCH6626-TL-E参数：MOSFET N/P-CH 20V 1.6/1A MCPH6
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品目录绘图： MCPH3Package-P,N&N/PChannelTop标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.6A，1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：230毫欧@800mA，4V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：1.4nC@4V不同Vds时的输入电容(Ciss)：105pF@10V功率-最大值：800mW安装类型：表面贴装封装：6-SMD，扁平引线供应商器件封装：6-MCPH
