MGSF1N02LT1参数:MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductObsolescence11/Feb/2009标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):750mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):90毫欧@1.2A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):125pF@5V功率-最大值:400mW安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)