MII100-12A3参数：IGBT 1200V 135A SOA/RBSOA
类别：半导体模块-IGBT标准包装：6系列：-IGBT 类型：NPT配置：半桥电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.7V @ 15V，75A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：135A电流 - 集电极截止（最大值）：5mA不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：5.5nF @ 25V功率 - 最大值：560W输入：标准NTC 热敏电阻：无安装类型：底座安装封装：Y4-M5供应商器件封装：Y4-M5