MIMD10A

MIMD10A-7-F
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MIMD10A-7-F参数：TRANS PREB NPN/PNP R1/R2 SOT363

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
PCNDesign/Specification： GreenEncapsulateChange09/July/2007
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏压式（双）
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA，500mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底(R1)(Ω)：100，10k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：10k
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：100@1mA，5V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：300mV@1mA，10mA/300mV@5mA，100mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：250MHz，200MHz
功率-最大值：200mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SOT-363