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MJD112TF

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MJD112TF
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MJD112TF参数：TRANSISTOR NPN DARL 100V 2A DPAK

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路
标准包装：2,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
晶体管类型：NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2A
电压 - 集射极击穿（最大值）：100V
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：3V @ 40mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：20µA
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：1000 @ 2A，3V
功率 - 最大值：1.75W
频率 - 跃迁：25MHz
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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