MKI100-12E8参数：MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 165A E3
类别：半导体模块-IGBT标准包装：5系列：-IGBT 类型：NPT配置：全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.5V @ 15V，100A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：165A电流 - 集电极截止（最大值）：1.4mA不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：7.4nF @ 25V功率 - 最大值：640W输入：标准NTC 热敏电阻：无安装类型：底座安装封装：E3供应商器件封装：E3
