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MMBF2201NT1G

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相关型号： MMBF2201NT1 MMBF170LT3G MMBF170LT3 MMBF170LT1G MMBF170LT1 MMBF170-7-F

MMBF2201NT1G
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MMBF2201NT1G参数：MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：300mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1欧姆@300mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：45pF@5V
功率-最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：SC-70-3（SOT323）

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