MMBF5458

MMBF5458
PDF资料下载

MMBF5458参数：IC AMP GP N-CHAN 25V 10MA SOT23

类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)：2mA@15V
漏源极电压(Vdss)：-
漏极电流(Id)-最大值：-
FET类型：N沟道
电压-击穿(V(BR)GSS)：25V
不同Id时的电压-截止（VGS关）：1V@10nA
不同Vds时的输入电容(Ciss)：7pF@15V
电阻-RDS（开）：-
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
功率-最大值：350mW