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MMBT5210

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相关型号： MMBT5179 MMBT5089LT1G MMBT5089LT1 MMBT5089 MMBT5088LT1G MMBT5088LT1

MMBT5210
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MMBT5210参数：TRANSISTOR NPN GP SOT-23

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：NPN
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：700mV@1mA，10mA
电流-集电极截止（最大值）：-
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：200@100µA，5V
功率-最大值：350mW
频率-跃迁：30MHz
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3

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