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MMBTH11

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相关型号： MMBTH10-TP MMBTH10RG MMBTH10M3T5G MMBTH10LT3G MMBTH10LT1G MMBTH10LT1

MMBTH11
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MMBTH11参数：TRANSISTOR RF NPN SOT-23

类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：NPN
电压-集射极击穿（最大值）：25V
频率-跃迁：650MHz
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
增益：-
功率-最大值：225mW
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：60@4mA，10V
电流-集电极(Ic)（最大值）：50mA
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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