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MMDF2P02HDR2

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MMDF2P02HDR2
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MMDF2P02HDR2
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MMDF2P02HDR2G
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MMDF2P02HDR2G
N
SOP
2023+
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相关型号： MMDF2P02ER2G MMDF2N02ER2G MMDF2N02ER2 MMDF2C03HDR2G MMDF2C03HDR2 MMDF1N05ER2G

MMDF2P02HDR2
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MMDF2P02HDR2参数：MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品变化通告： ProductDiscontinuation20/Aug/2008
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个P沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：160毫欧@2A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：588pF@16V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOICN

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