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MMFT1N10E

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MMFT107T1
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MMFT107T1参数：MOSFET N-CH 200V 250MA SOT223

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence01/Apr/2004
标准包装：10
系列：-
包装：Digi-Reel®
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：250mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：14欧姆@200mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：60pF@25V
功率-最大值：800mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223

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