MMFT2N02ELT1参数：MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence30/Dec/2003标准包装：10系列：-包装：Digi-Reel®FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：150毫欧@800mA，5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：580pF@15V功率-最大值：800mW安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223
