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MMFT960T1G

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MMFT960T1G
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MMFT960T1G参数：MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： SpecificationChangeMSLUpdated2/April/2007
标准包装：1,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：300mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.7欧姆@1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.5V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：3.2nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：65pF@25V
功率-最大值：800mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223

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