MMIX1F44N100Q3参数:MOSFET N CH 1000V 30A
类别:分立半导体产品-FET - 单特色产品: Q3HiPerFETTPowerMOSFETinSMPDPackage标准包装:20系列:HiPerFET™包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):1000V(1kV)电流-连续漏极(Id)(25°C时):30A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):245毫欧@22A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):6.5V@8mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):264nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):13600pF@25V功率-最大值:694W安装类型:表面贴装封装:24-BESOP(0.906",23.00mm宽)21引线,裸露焊盘供应商器件封装:24-SMPD