MMIX1F44N100Q3参数：MOSFET N CH 1000V 30A
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： Q3HiPerFETTPowerMOSFETinSMPDPackage标准包装：20系列：HiPerFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：1000V（1kV）电流-连续漏极(Id)（25°C时）：30A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：245毫欧@22A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：6.5V@8mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：264nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：13600pF@25V功率-最大值：694W安装类型：表面贴装封装：24-BESOP（0.906"，23.00mm宽）21引线，裸露焊盘供应商器件封装：24-SMPD
