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MMUN2114

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MMUN2114
MOTO
SOT-23
2023+
4278
全新进口原装现货,保证质量
MMUN2114LT3G
ONSemiconductor
SOT-23-3
2023+
6000
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MMUN2114LT1
ONSemiconductor
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MMUN2114LT1
ON
SOT23
2023+
4335
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MMUN2114LT1G
ON
SOT-23
2023+
17557
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联系人：销售部
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MMUN2114LT1G
ON
SOT-23
2023+
222
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MMUN2114LT1G
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2023+
10,000
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2023+
16000
【【【原装绝对有货】】】
MMUN2114LT1G
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SOT-23-3
2023+
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【【【原装绝对有货】】】
MMUN2114LT1G
ON
原装现货
2023+
4500
相关型号： MMUN2113LT3G MMUN2113LT3 MMUN2113LT1G MMUN2113LT1 MMUN2112LT1G MMUN2112LT1

MMUN2114LT1
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MMUN2114LT1参数：TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
产品变化通告： ProductDiscontinuation27/Jun/2007
标准包装：10
系列：-
包装：剪切带(CT)
晶体管类型：PNP-预偏压
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底(R1)(Ω)：10k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：47k
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：80@5mA，10V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：250mV@300µA，10mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：-
功率-最大值：246mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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