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MSB710-RT1G

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MSB710-RT1G
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MSB710-RT1G参数：TRANS PNP GP BIPO 50V SC-59

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路
产品变化通告： ProductObsolescence07/Jul/2010
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：PNP
电流-集电极(Ic)（最大值）：500mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：600mV@30mA，300mA
电流-集电极截止（最大值）：-
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：120@150mA，10V
功率-最大值：200mW
频率-跃迁：-
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SC-59

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