MSD42T1

MSD42T1G
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MSD42T1G参数：TRANS NPN GP BIPO 300V SC-59

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路
产品变化通告： CopperWireChange29/Oct/2009
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：NPN
电流-集电极(Ic)（最大值）：150mA
电压-集射极击穿（最大值）：300V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：500mV@2mA，20mA
电流-集电极截止（最大值）：-
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：40@30mA，10V
功率-最大值：150mW
频率-跃迁：-
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SC-59