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MSD601-RT1G

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相关型号： MSD601-RT1 MSD52-16 MSD52-12 MSD52-08 MSD50-16 MSD50-12

MSD601-RT1G
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MSD601-RT1G参数：TRANS GP NPN 100MA 50V SC59

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路
产品变化通告： CopperWireChange29/Oct/2009
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：NPN
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：500mV@10mA，100mA
电流-集电极截止（最大值）：100nA
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：210@2mA，10V
功率-最大值：200mW
频率-跃迁：-
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SC-59

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