MTD20P03HDLT4参数：MOSFET P-CH 30V 19A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation30/Jun/2004标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：19A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：99毫欧@9.5A，5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：22.4nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1064pF@25V功率-最大值：75W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：DPAK-3
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