MTD6N15T4参数：MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010标准包装：10系列：-包装：剪切带(CT)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：150V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：300毫欧@3A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：30nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1200pF@25V功率-最大值：1.25W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：DPAK-3