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MTD6N20ET4

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MTD6N20ET4G 优势库存
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TO-252(DPAK)
2023+
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全新原厂原装现货
MTD6N20ET4 优势库存
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TO-252(DPAK)
2023+
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DPAK
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SOT252
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MTD6N20ET4G
ONSemiconductor
DPak,SC-63,T..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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MTD6N20ET4
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MTD6N20ET4
ONSemiconducto..
TO-252-3,DPa..
2023+
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MTD6N20ET4G
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DPAK-2
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相关型号： MTD6N15T4GV MTD6N15T4G MTD6N15T4 MTD6505T-E/NA MTD6502B-LC1-02 MTD6502B-LC1-01

MTD6N20ET4
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MTD6N20ET4参数：MOSFET N-CH 200V 6A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
标准包装：10
系列：-
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：700毫欧@3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：21nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：480pF@25V
功率-最大值：1.75W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK-3

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