MTM232230LBF参数：MOSFET N CH 20V 4.5A SMINI3-G1-B
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：28 毫欧 @ 1A，4V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1200pF @ 10V功率 - 最大值：500mW安装类型：表面贴装封装：SC-70，SOT-323供应商器件封装：S迷你型3-G1-B
