MTMC8E2A0LBF参数：MOSFET 2N-CH 20V 7A WMINI8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： MOSFETsforPowerManagement产品目录绘图： WMini8 MTMC8E2A0LBF标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：21毫欧@2A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.3V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：1450pF@10V功率-最大值：1W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：W迷你型8-F1