MTP12P10G参数：MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence01/Jul/2009标准包装：50系列：-包装：管件FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：300毫欧@6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：50nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：920pF@25V功率-最大值：75W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB
