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MTP6P20E

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MTP6P20E

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相关型号： MTP6H-E6-C MTP6H-E10-C MTP5S-E6-C MTP5S-E10-C MTP5H-E6-C MTP5H-E10-C

MTP6P20E
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MTP6P20E参数：MOSFET P-CH 200V 6A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence01/Apr/2004
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1欧姆@3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：30nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：750pF@25V
功率-最大值：75W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

MTP6P20E

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