MTW32N20EG参数：MOSFET N-CH 200V 32A TO247
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： 1Q2012Discontinuation30/Mar/2012标准包装：30系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：32A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：75毫欧@16A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：120nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：5000pF@25V功率-最大值：180W安装类型：通孔封装：TO-247-3供应商器件封装：TO-247
