N0604N-S19-AY参数:MOSFET N-CH 60V 82A TO-220
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:1系列:-包装:*FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):82A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 41A, 10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):75nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4150pF @ 25V功率 - 最大值:1.5W安装类型:*封装:*供应商器件封装:*