NCP5181DR2G参数：IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC
类别：集成电路 (IC)-PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关标准包装：2,500系列：-包装：带卷 (TR)配置：半桥输入类型：非反相延迟时间：100ns电流 - 峰值：1.4A配置数：1输出数：2高压侧电压 - 最大值（自举）：600V电压 - 电源：10 V ~ 20 V工作温度：-40°C ~ 125°C安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SOIC N
