NDS336P参数：MOSFET P-CH 20V 1.2A SSOT3
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： MoldCompound07/Dec/2007标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：200毫欧@1.3A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.5nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：360pF@10V功率-最大值：460mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：3-SSOT
