NDS356AP参数：MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing SMPSPowerSwitchPCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：200毫欧@1.3A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4.4nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：280pF@10V功率-最大值：460mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：3-SSOT
