NDS8852H参数：MOSFET N+P 30V 3.4A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：2,500系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：N 和 P 沟道FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.3A，3.4A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 3.4A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：300pF @ 15V功率 - 最大值：1W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SOIC N
