NDS9925A

NDS9925A
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NDS9925A参数：MOSFET N-CH DUAL 20V 4.5A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
PCNObsolescence： MultipleDevices28/May/2008
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：60毫欧@4.5A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：-
功率-最大值：900mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOICN