NE3512S02-A参数：HJ-FET NCH 13.5DB S02
类别：分立半导体产品-RF FET产品目录绘图： NEx5Series标准包装：1系列：-包装：散装晶体管类型：HFET频率：12GHz增益：13.5dB电压-测试：2V额定电流：70mA噪声系数：0.35dB电流-测试：10mA功率-输出：-电压-额定：4V封装：4-SMD，扁平引线供应商器件封装：S02
