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NE651R479A

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NE651R479A-A
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NE651R479A-A参数：HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A

类别：分立半导体产品-RF FET
产品变化通告： UPG,NE651SeriesObsolescence04/Feb/2013
产品目录绘图： NEx5Series
标准包装：1
系列：-
包装：散装
晶体管类型：HFET
频率：1.9GHz
增益：12dB
电压-测试：3.5V
额定电流：1A
噪声系数：-
电流-测试：50mA
功率-输出：27dBm
电压-额定：8V
封装：4-SMD，扁平引线
供应商器件封装：79A

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