NE662M04-A参数：TRANSISTOR NPN 2GHZ M04
类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)标准包装：1系列：-包装：散装晶体管类型：NPN电压 - 集射极击穿（最大值）：3.3V频率 - 跃迁：25GHz噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz增益：20dB功率 - 最大值：115mW不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 5mA，2V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35mA安装类型：表面贴装封装：SOT-343F供应商器件封装：M04
