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NE85634

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NE85634-T1-RF-A
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SOT-89
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NE85634
NEC
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NE85634/2SC3357-T1
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SOT-89
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射频半导体
NE85634-A
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SOT-89
2023+
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射频半导体
相关型号： NE85633-T1B-R25-A NE85633-T1B-R24-A NE85633-T1B-R23-A NE85633-T1B-A NE85633-T1B NE85633-R25-A

NE85634-A
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NE85634-A参数：TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-89

类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)
标准包装：1
系列：-
包装：散装
晶体管类型：NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：12V
频率 - 跃迁：6.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.4dB @ 1GHz
增益：-
功率 - 最大值：2W
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 20mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
安装类型：表面贴装
封装：TO-243AA
供应商器件封装：SOT-89

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