NESG7030M04-T2-A参数：IC RF TRANSISTOR NPN
类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)晶体管类型：NPN电压 - 集射极击穿（最大值）：4.3V频率 - 跃迁：5.8GHz噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz增益：14dB ~ 21dB功率 - 最大值：125mW不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 5mA，2V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30mA安装类型：表面贴装封装：SOT-343F供应商器件封装：M04