NP80N055PDG-E1B-AY参数：MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：55V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：80A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.6 毫欧 @ 40A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：135nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6900pF @ 25V功率 - 最大值：1.8W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：TO-263