NP82N04MUG-S18-AY参数:MOSFET N-CH TO-220
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:900系列:-包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):40V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):82A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 41A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):160nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9750pF @ 25V功率 - 最大值:1.8W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220-3