NSB9435T1G参数：TRANS BRT PNP 30V BIP SOT223-4
类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式产品变化通告： SpecificationChangeMSLUpdated2/April/2007 WireBondChange01/Dec/2010标准包装：1,000系列：-包装：带卷(TR)晶体管类型：PNP-预偏压电流-集电极(Ic)（最大值）：3A电压-集射极击穿（最大值）：30V电阻器-基底(R1)(Ω)：10k电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：-不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：125@800mA，1V不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：550mV@300mA，3A电流-集电极截止（最大值）：-频率-跃迁：110MHz功率-最大值：720mW安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223
