NSMD150

NSM11156DW6T1G
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NSM11156DW6T1G参数：TRANS BRT PNP DUAL SC-88

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
产品变化通告： ProductObsolescence19/Dec/2008
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：1PNP预偏压式，1PNP
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V，65V
电阻器-基底(R1)(Ω)：10k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：10k
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：35@5mA，10V/220@2mA，5V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：250mV@300µA，10mA/650mV@5mA，100mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：-
功率-最大值：230mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-88