NSS12600CF8T1G参数：TRANSISTOR PNP 6A 12V CHIPFET
类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路产品变化通告： LTBNotification标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)晶体管类型：PNP电流-集电极(Ic)（最大值）：5A电压-集射极击穿（最大值）：12V不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：170mV@400mA，4A电流-集电极截止（最大值）：-不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：250@1A，2V功率-最大值：830mW频率-跃迁：100MHz安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：ChipFET?
