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NTB13N10

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相关型号： NTB125N02RT4G NTB125N02RT4 NTB125N02RG NTB125N02R NTB0104UK-Q100Z NTB0104UK,012

NTB13N10
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NTB13N10参数：MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation27/Jun/2007 ProductDiscontinuation03/Apr/2007
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：13A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：165毫欧@6.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：550pF@25V
功率-最大值：64.7W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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