NTB1N100

NTB125N02R
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NTB125N02R参数：MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： Discontinuation30/Jun/2006
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：24V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：15.9A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.6毫欧@20A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：28nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3440pF@20V
功率-最大值：1.98W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK