NTB30N06G参数：MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation03/Apr/2007标准包装：50系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：27A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：42毫欧@15A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：46nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1200pF@25V功率-最大值：88.2W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D2PAK
