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NTB45N06T4

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NTB45N06T4G 优势库存
ON
TO-263(D2PAK)
2023+
5406
全新原厂原装现货
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NTB45N06T4 优势库存
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TO-263(D2PAK)
2023+
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原装现货，价格优势
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NTB45N06T4G
onsemi
D2PAK
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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NTB45N06T4
ON
TO-263
2023+
31278
全新进口原装现货,保证质量
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NTB45N06T4G
ONS
D2PAK
2023+
11278
全新进口原装现货,保证质量
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NTB45N06T4
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D2PAK3LEAD
2023+
39000
品质保证,价格优惠
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NTB45N06T4G
ONSemiconductor
Dsup2Pak，TO-..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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NTB45N06T4G
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D2PAK-2
2023+
16000
【【【原装绝对有货】】】
相关型号： NTB45N06LT4G NTB45N06LT4 NTB45N06LG NTB45N06G NTB4302T4G NTB4302T4

NTB45N06T4G
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NTB45N06T4G参数：MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：800
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：45A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：26 毫欧 @ 22.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：46nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1725pF @ 25V
功率 - 最大值：2.4W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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