NTB85N03T4参数：MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation27/Jun/2007标准包装：10系列：-包装：剪切带(CT)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：28V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：85A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6.8毫欧@40A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：29nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2150pF@24V功率-最大值：80W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D2PAK