NTD110N02R-001参数：MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： LTBNotification03/Jan/2008标准包装：75系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：24V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.6毫欧@20A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：28nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3440pF@20V功率-最大值：1.5W安装类型：通孔封装：TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA供应商器件封装：I-Pak