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NTD12N10T4

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NTD12N10T4 优势库存
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TO-252(DPAK)
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DPak,SC-63,T..
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相关型号： NTD12N10G NTD12N10-1G NTD110N02RT4G NTD110N02RT4 NTD110N02RG NTD110N02R-001G

NTD12N10T4
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NTD12N10T4参数：MOSFET N-CH 100V 12A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation20/Aug/2008
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：165毫欧@6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：550pF@25V
功率-最大值：1.28W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK-3

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